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NVH4L020N090SC1

Name: onsemi NVH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVH4L020N090SC1
Price: 139064 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NVH4L020N090SC1

Fabricante N.º:

NVH4L020N090SC1

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

Hoja de datos:

NVH4L020N090SC1 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	NVH4L020N090SC1
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs

onsemi 900V EliteSiC (Silicon Carbide) MOSFETs use a technology that provides superior switching performance and higher reliability than silicon. Also, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).