Tecnología PowerTrench

onsemi PowerTrench Technology represents the advancement of PowerTrench technology, especially from T6 to T10, which signifies a breakthrough in power electronics. Developed by onsemi, PowerTrench MOSFETs offer enhanced efficiency and performance across various applications. The shift from T6/T8 to T10 significantly improves on-resistance and switching performance, which is crucial for energy-efficient designs.

Resultados: 18
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
4.612En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 21 nC - 55 C + 170 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
Hoja de datos
14.461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO8FL-8 N-Channel 1 Channel 80 V 253 A 1.43 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 83 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
1.955En existencias
1.500Se espera el 2/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 509 A 420 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 133 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
4.016En existencias
1.500Se espera el 17/04/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 380 A 570 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 86.4 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
2.540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 233 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 49.1 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
6.718En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 195 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38.5 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
5.932En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 111 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 22.1 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
6.594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 181 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 53 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
5.697En existencias
3.000Se espera el 3/04/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 135 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL HEFET GEN 2 PACKAGE
Hoja de datos
280En existencias
10.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 414 A 520 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 97.5 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
188En existencias
6.000Se espera el 28/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 323 A 700 uOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 72.1 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Hoja de datos
1.350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 40 V 83 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 15.6 nC - 55 C + 175 C 39 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL
Hoja de datos
9.702En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si WDFN-8 PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
98En existencias
9.000Se espera el 23/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 154 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 133 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
Hoja de datos
5.970En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 457 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 174 nC - 55 C + 175 C 325 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Hoja de datos
2.997Se espera el 23/02/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT DFN-5 N-Channel 1 Channel 80 V 201 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 39 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET HE SO8FL
Hoja de datos
2.741Se espera el 13/03/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 142 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 155 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V LOW Q 4.2MOHM N-FET SO8FL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1.500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 100 V 113 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel