Todos los resultados (11)

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1.162En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
389En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
104En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
146En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
64En existencias
1.350Se espera el 28/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
28En existencias
450Se espera el 6/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
24En existencias
3.150En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
1.190En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Herramientas de desarrollo de administración de IC Evaluation Board for BD7682FJ-LBE2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1