Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ M9 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M9 Power MOSFETs feature enhanced device structure, low ON resistance, and low gate charge values. These power MOSFETs offer high reverse diode dv/dt and MOSFET dv/dt ruggedness, high power density, and low conduction losses. The MDmesh M9 Power MOSFETs also offer high switching speed, high efficiency, and low switching power losses. These power MOSFETs are designed with innovative high-voltage super-junction technology that delivers impressive Figure of Merit ((FoM). The high FoM enables higher power levels and density for more compact solutions. Typical applications include servers, telecom data centers, 5G power stations, microinverters, and fast chargers.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N065DM9
STMicroelectronics
1: $ 26.594
210En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N065DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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Cinta cortada

$ 26.594

$ 21.284

Envase tipo carrete

$ 21.284

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

44 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78 nC

- 55 C

+ 150 C

223 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

ST8L65N050DM9
STMicroelectronics
1: $ 35.736
210En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N050DM9

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511-ST8L65N050DM9

Nuevo producto

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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210En existencias

Cinta cortada

$ 35.736

$ 25.209

Envase tipo carrete

$ 25.209

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-4

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

107 nC

- 55 C

+ 150 C

167 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

STWA60N035M9
STMicroelectronics
1: $ 37.952
300En existencias
Nuevo producto

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STWA60N035M9

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511-STWA60N035M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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300En existencias

$ 37.952

$ 27.610

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

30 V

62 A

35 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

112 nC

- 55 C

+ 150 C

321 mW

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STP60N043DM9
STMicroelectronics
1: $ 49.356
931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STP60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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931En existencias

$ 49.356

$ 27.841

$ 25.717

$ 23.454

$ 23.408

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N045M9
STMicroelectronics
1: $ 37.259
542En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 55 A MDmesh M9 Power MOSFET

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542En existencias

$ 37.259

$ 20.730

$ 19.068

$ 16.483

$ 16.437

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH65N050DM9-7AG
STMicroelectronics
1: $ 41.922
796En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STH65N050DM9-7AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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$ 41.922

$ 30.472

$ 25.394

$ 22.623

Envase tipo carrete

$ 20.176

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 50 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU65N050DM9AG
STMicroelectronics
1: $ 43.862
403En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU65N050DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU65N050DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

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403En existencias

Cinta cortada

$ 43.862

$ 32.596

$ 27.148

Envase tipo carrete

$ 24.193

$ 21.561

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

51 A

50 mOhms

30 V

4.5 V

100 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 51 mOhm typ., 39 A MDmesh DM9 Power MOSFET

ST8L60N065DM9
STMicroelectronics
1: $ 28.672
244En existencias
Nuevo producto

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ST8L60N065DM9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L60N065DM9

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STMicroelectronics

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Cinta cortada

$ 28.672

$ 21.977

$ 17.775

$ 15.790

$ 13.528

Envase tipo carrete

$ 13.528

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

600 V

39 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

66 nC

- 55 C

+ 150 C

202 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 58 A MDmesh M9 Power MOSFET

ST8L65N044M9
STMicroelectronics
1: $ 35.228
236En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ST8L65N044M9

N.º de artículo de Mouser
511-ST8L65N044M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

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Cinta cortada

$ 35.228

$ 24.886

$ 20.730

$ 18.468

$ 16.437

Envase tipo carrete

$ 16.437

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3.000

SMD/SMT

PowerFLAT-5

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

44 mOhms

30 V

4.2 V

110 nC

- 55 C

+ 150 C

166 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STH60N099DM9-2AG
STMicroelectronics
1: $ 26.779
1.142En existencias
1.000Se espera el 3/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
STH60N099DM9-2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STH60N099DM9-2AG

STMicroelectronics

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1.142En existencias

1.000Se espera el 3/03/2026

Cinta cortada

$ 26.779

$ 18.699

$ 15.144

$ 13.435

Envase tipo carrete

$ 11.496

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

600 V

27 A

99 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

179 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N023M9-4
STMicroelectronics
1: $ 80.428
531En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N023M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N023M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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531En existencias

$ 80.428

$ 50.094

$ 50.048

$ 49.771

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

95 A

23 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

463 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STW65N045M9-4
STMicroelectronics
1: $ 43.723
580En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW65N045M9-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW65N045M9-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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580En existencias

$ 43.723

$ 32.504

$ 27.102

$ 24.147

$ 21.515

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N023M9
STMicroelectronics
1: $ 57.435
366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N023M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N023M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

366En existencias

$ 57.435

$ 35.135

$ 34.905

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

95 A

- 30 V, 30 V

4.2 V

230 nC

- 55 C

+ 150 C

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

STWA65N045M9
STMicroelectronics
1: $ 44.000
1.195En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N045M9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N045M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

1.195En existencias

$ 44.000

$ 25.948

$ 21.931

$ 19.899

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

650 V

54 A

45 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

STD65N160M9
STMicroelectronics
1: $ 15.652
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD65N160M9

N.º de artículo de Mouser
511-STD65N160M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 132 mOhm typ., 17 A MDmesh M9 Power MOSFET

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783En existencias

Cinta cortada

$ 15.652

$ 11.035

$ 7.757

$ 6.787

Envase tipo carrete

$ 5.494

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

650 V

17 A

160 mOhms

- 30 V, 30 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

106 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

STP65N150M9
STMicroelectronics
1: $ 18.191
113En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP65N150M9

N.º de artículo de Mouser
511-STP65N150M9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET

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Hoja de datos

113En existencias

$ 18.191

$ 11.912

$ 8.772

$ 7.757

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

150 mOhms

- 30 V, 30 V

3.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STWA60N043DM9
STMicroelectronics
1: $ 50.325
82En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA60N043DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STWA60N043DM9

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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82En existencias

$ 50.325

$ 36.197

$ 32.088

$ 31.303

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

56 A

43 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

78.6 nC

- 55 C

+ 150 C

312 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

STHU60N046DM9AG
STMicroelectronics
1: $ 42.199
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STHU60N046DM9AG

N.º de artículo de Mouser
511-STHU60N046DM9AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET

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600En pedido

Cinta cortada

$ 42.199

$ 30.703

$ 25.578

Envase tipo carrete

$ 22.808

$ 20.315

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

600 V

54 A

46 mOhms

30 V

4.5 V

77 nC

- 55 C

+ 150 C

245 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N030M9
STMicroelectronics
1: $ 58.728
1.800Se espera el 31/08/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N030M9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N030M9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 23 mOhm typ., 79 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.800Se espera el 31/08/2026

Cinta cortada

$ 58.728

$ 41.738

$ 36.243

$ 35.597

Envase tipo carrete

$ 29.272

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

STO60N045DM9
STMicroelectronics
1: $ 43.446
1.800Se espera el 26/10/2026
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STO60N045DM9

N.º de artículo de Mouser
511-STO60N045DM9

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 39 mOhm typ., 55 A, MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-LL package

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Hoja de datos

1.800Se espera el 26/10/2026

Cinta cortada

$ 43.446

$ 31.211

$ 25.624

$ 24.055

$ 24.008

Envase tipo carrete

$ 20.407

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.800

Reel, Cut Tape

MDmesh™ M9 Power MOSFETs

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