π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ
Hoja de datos
3.371En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
Hoja de datos
3.224En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS
Hoja de datos
13En existencias
150Se espera el 2/03/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN
Hoja de datos
64En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 900V 2A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.125En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ
Hoja de datos
40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pb-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220SISPD=35WF=1MHZ
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS
Hoja de datos
159En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS
Hoja de datos
204En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN
Hoja de datos
72En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS
Hoja de datos
313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube