X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS X3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs are N-channel, enhancement mode, avalanche-rated MOSFETs. The X3-Class provides high power density and is easy to mount, all in a space-saving package. The IXYS X3-Class MOSFETs are ideal for switch-mode and resonant-mode power supplies.

Resultados: 7
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 34A 650V X3 TO220
Hoja de datos
684En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 34A 650V X3 TO263
Hoja de datos
659En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 54A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
625En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 59 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 49 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 46A 650V X3 TO247
Hoja de datos
292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 40 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
Hoja de datos
953En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 70 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 66 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 90A 650V X3 TO247
Hoja de datos
500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 34A 650V X3 TO247
Hoja de datos
148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 5.2 V 29 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube