U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low RDS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

Resultados: 86
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
Hoja de datos
68.834En existencias
50.000Se espera el 29/07/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
Hoja de datos
13.744En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
Hoja de datos
110.000Se espera el 28/07/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 10.000

Si N-Channel 1 Channel U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -30A -60V 68W 3950pF 0.0218
Hoja de datos
Comentarios de Producto
5.336En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 21.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -40A -40V 68W 4140pF 0.0091
Hoja de datos
Comentarios de Producto
4.291En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.1 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 83 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
88.725En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V
Hoja de datos
3.493En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 40 V 15 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOS VI FET ID -2.6A -20V 290pF
Hoja de datos
555En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4.000

Si SMD/SMT ES6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 2.6 A 250 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -30V FET 1650pF -9A 1.9W
Hoja de datos
3.447En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9 A 28 mOhms - 25 V, 20 V 2 V 39 nC + 150 C 1.9 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
Hoja de datos
9.324En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
Hoja de datos
Comentarios de Producto
107.820En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal FET 24.8 nC -4.4A -20V
Hoja de datos
13.070En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 24.8 nC - 55 C + 150 C 800 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=--0.4A VDSS=-60V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
36.255En existencias
36.000Se espera el 23/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.3 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Small Signal 270pF -2A -20V 4.6nC
Hoja de datos
32.804En existencias
18.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-346-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 311 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 600 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
Hoja de datos
80.211En existencias
96.000Se espera el 23/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
Hoja de datos
32.507En existencias
24.000Se espera el 23/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 150 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 10.4 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
Hoja de datos
61.098En existencias
87.000Se espera el 30/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si P-Channel 1 Channel U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
Hoja de datos
Comentarios de Producto
42.257En existencias
6.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH VDSS:-30V VGSS:-12/+6V ID
Hoja de datos
Comentarios de Producto
77.444En existencias
105.000Se espera el 23/12/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=20V
Hoja de datos
29.023En existencias
27.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 20 V 4 A 25 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 3.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
Hoja de datos
96.468En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
Hoja de datos
28.296En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 30 V 10 A 20 mOhms - 25 V, 20 V 1 V 13.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
Hoja de datos
2.369En existencias
12.000Se espera el 27/07/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si N-Channel 2 Channel U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 VDSS=-20V, VGSS=+6/-12V, ID=-4.0A, in UDFN6 package
Hoja de datos
Comentarios de Producto
12.194En existencias
21.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 2 Channel 20 V 4 A 157 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 6.74 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -50A -60V 90W 6290pF 0.0138
Hoja de datos
Comentarios de Producto
6.930En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 60 V 50 A 13.8 mOhms - 20 V, 10 V 3 V 124 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q100 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel