Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

TK8A50D(STA4,Q,M)

Name: Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8A50DSTA4QM
Price: 9557 COP
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

757-TK8A50DSTA4QM

Fabricante N.º:

TK8A50D(STA4,Q,M)

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch FET 500V 4.0s IDSS 10 uA 0.7 Ohm

Hoja de datos:

TK8A50D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Toshiba TK8A50D(STA4,Q,M)

En existencias: 337

Existencias:: 337

Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
En pedido:: 250

Se espera el 16/03/2026
Plazo de entrega de fábrica:: 32

Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$ -

Precio ext.:

$ -

Est. Tarifa:

Precio (COP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$ 9.557	$ 9.557
	$ 4.848	$ 48.480
	$ 4.709	$ 470.900
	$ 3.712	$ 1.856.000
	$ 2.927	$ 2.927.000
	$ 2.913	$ 7.282.500
	$ 2.793	$ 13.965.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	850 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	16 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	MOSVII
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	1 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Serie:	TK8A50D
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	60 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	40 ns
Peso de la unidad:	2 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

TK8A50D(STA4,Q,M) Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

π-MOS VII MOSFETs

Toshiba π-MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining π-MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and R_DS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay π-MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.