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TK100A10N1,S4X

Name: Toshiba TK100A10N1,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK100A10N1S4X
Price: 25901 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK100A10N1S4X

Fabricante N.º:

TK100A10N1,S4X

Fabricante:

Toshiba

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	3.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	140 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	45 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVIII-H
Empaquetado:	Tube
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	TK100A10N1
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	2 g