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SLG59M1658V

Name: Renesas Electronics SLG59M1658V
Brand: Renesas / Dialog
SKU: 402-SLG59M1658V
Price: 7203 COP
Availability: InStock

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Mouser N.º:

402-SLG59M1658V

Fabricante N.º:

SLG59M1658V

Fabricante:

Renesas / Dialog

Descripción:

Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación 1.6mm sq. 125oC 2.5A integrated pw switch

Hoja de datos:

SLG59M1658V Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$ 7.203	$ 7.203
	$ 4.409	$ 44.090
	$ 3.703	$ 92.575
	$ 2.807	$ 280.700
	$ 2.429	$ 607.250
	$ 2.133	$ 1.066.500
	$ 1.916	$ 1.916.000
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$ 1.639	$ 4.917.000
	$ 1.427	$ 8.562.000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Renesas Electronics
Categoría de producto:	Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación
RoHS:
Tipo:	Load Switch
Número de salidas:	1 Output
Corriente de salida:	2.5 A
Límite de corriente:	4.5 A
Resistencia en modo encendido - Máx.:	28.8 mOhms
Tiempo encendido - Máx.:	1.5 ms
Voltaje de alimentación operativo:	2.5 V to 5.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	STDFN-8
Serie:	SLG59M1658V
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Renesas / Dialog
Dp - Disipación de potencia :	400 mW
Producto:	Load Switches
Tipo de producto:	Power Switch ICs - Power Distribution
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Switch ICs
Voltaje de alimentación - Máx.:	5.5 V
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.5 V
Nombre comercial:	GreenFET
Peso de la unidad:	27,510 mg

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

SLG59Mxx GreenFET Load Switches

Renesas / Dialog SLG59Mxx Load Switches are optimized for high-side power rail control applications from 0.25V to 25.2V where load currents range from 1A to 9A. The SLG59Mxx load switches use a proprietary MOSFET design that combines MOSFET IP and advanced assembly techniques in ultra-small PCB footprints from 0.56mm² to 5.04mm². The high-performance components exhibit low thermal resistances for high current operations.