Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP)Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Potencia de salida
Voltaje máximo drenaje-puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl 18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC 1.2 GHz to 1.4 GHz 19.8 dB 65 V 19 A 750 W - 40 C + 85 C 400 W SMD/SMT NI-780
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT 700En existencias
Min.: 100
Mult.: 100

pHEMT Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT 200En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT 300En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT GaAs 14 dB SMD/SMT 0.41 mm x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan 16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC 1.2 GHz to 1.4 GHz 19.8 dB 65 V 19 A 750 W - 40 C + 85 C 400 W SMD/SMT NI-780
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT 300En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT 600En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT 900En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT GaAs 13 dB 0.41 m x 0.34 mm Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor 2.365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2.500

HEMT GaN SiC 2.5 GHz to 5 GHz 18.6 dB 37.7 dBm 4.5 mm x 4 mm Reel, Cut Tape
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
Hoja de datos
20En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

JFET GaN SiC DC to 1.7 GHz 18 dB P-Channel - - 1 A 537 W 50 V 714 W Flange Mount NI-780
Skyworks Solutions, Inc. Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
Hoja de datos
46.088En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

pHEMT GaAs N-Channel - 40 C + 85 C SMD/SMT SC-70-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT 100En existencias
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

pHEMT Reel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
Hoja de datos
1.366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

HEMT GaN SiC 30 MHz to 1.215 GHz 19 dB N-Channel 28 V 100 V 817 mA 24 W - 40 C + 85 C 28.8 W SMD/SMT QFN-8 Reel, Cut Tape
Wolfspeed Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
Hoja de datos

HEMT GaN 1.7 GHz to 1.9 GHz 16.1 dB N-Channel 150 V - 10 V, 2 V 8.7 A 250 W - - 40 C + 150 C 166 W Screw Mount 440199 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
Hoja de datos
16En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC 1.2 GHz to 1.4 GHz 19.9 dB N-Channel 50 V 145 V 15 A 540 W - 40 C + 85 C 370 W SMD/SMT RF-565 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
Hoja de datos
870En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN-on-SiC DC to 6 GHz 15 dB N-Channel - - 650 mA 10 W - 12.5 W SMD/SMT NI-200 Tray
Wolfspeed Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Hoja de datos

HEMT GaN-on-SiC 15 GHz 11 dB N-Channel 100 V - 10 V to 2 V 2 A 25 W - - 40 C + 150 C - SMD/SMT DFN-12 Reel, Cut Tape
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-12GHz 10W 32V GaN
Hoja de datos
1.176En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

HEMT GaN SiC DC to 12 GHz 24 dB N-Channel 32 V - 2.8 V 610 mA 10 W - 40 C + 85 C 13.8 W SMD/SMT QFN-16 Reel, Cut Tape, MouseReel
Wolfspeed Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
Hoja de datos

HEMT GaN 7.9 GHz to 9.6 GHz 12.4 dB N-Channel 100 V - 10 V to 2 V 12 A 131 W - - 40 C + 150 C - Screw Mount 440210 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .03-1.2GHz 25W 50V GaN
Hoja de datos
589En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 100

HEMT GaN SiC 30 MHz to 1.2 GHz 20.8 dB N-Channel 50 V 145 V 3.6 A 40 W 55 V - 40 C + 85 C 27.6 W SMD/SMT DFN-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Hoja de datos
65En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC 3.2 GHz 17.5 dB N-Channel 50 V 145 V 4 A 162 W - 40 C + 85 C 127 W Screw Mount NI-360 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
Hoja de datos
1.026En existencias
850Se espera el 8/01/2024
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC DC to 12 GHz 13 dB N-Channel 32 V - 2.7 V 326 mA 6 W + 225 C 8.4 W SMD/SMT QFN-16 Tray
Qorvo Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V
Hoja de datos
888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN SiC 30 MHz to 3 GHz 18 dB P-Channel 32 V - 2.7 V 600 mA 6 W - 7.5 W SMD/SMT QFN-16 Tray
MACOM NPT2018
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor, 48V 12W DC-4GHz HEMT 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT Si
MACOM Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
Hoja de datos
56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

HEMT GaN-on-Si 2 GHz 21 dB N-Channel 160 V 3 V 24 mA 100 W - 40 C + 85 C Screw Mount Tray