Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
SGT65R65AL
STMicroelectronics
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
PowerFLAT-4
1
GaN Si
-
-
- 55 C
+ 150 C
-
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT
QPD2120D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.20mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
Tray
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
QPD1028
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
HEMT
GaN SiC
1.2 GHz to 1.4 GHz
750 W
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+ 85 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan
QPD1028L
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
HEMT
GaN SiC
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+ 85 C
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 1.60mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.80mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT
QPD2040D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
0.41 m x 0.34 mm
pHEMT
GaAs
13 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor
QPD0005MTR13
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772-QPD0005MTR13
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 2.5-5.0GHz 8W 48V GaN Transistor
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2.500:
$ 18.095
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RF JFET Transistors
4.5 mm x 4 mm
HEMT
GaN SiC
2.5 GHz to 5 GHz
37.7 dBm
18.6 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
QPD2060D
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772-QPD2060D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.60 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT
QPD2018D
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.18 mm Pwr pHEMT
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
0.41 mm x 0.34 mm
pHEMT
GaAs
14 dB
Reel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
QPD1016L
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772-QPD1016L
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Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-1.7 GHz, 500W, 50V, GaN RF Tr
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RF JFET Transistors
Flange Mount
NI-780
JFET
GaN SiC
DC to 1.7 GHz
537 W
18 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
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841-MRF6V12250HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 250W 50V NI780H
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
NI-780
Si
960 MHz to 1.215 GHz
27.5 W
+ 150 C
20.3 dB
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
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841-MMRF5014HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1-2690 MHz 125 W CW 50 V
94 En existencias
1:
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RF MOSFET Transistors
Flange Mount
GaN SiC
1 MHz to 2.7 GHz
125 W
- 55 C
+ 150 C
16 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
1:
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873-SKY65050-372LF
Skyworks Solutions, Inc.
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .45-6.0GHz NF .45dB Gain 15.5dB @ 2.4GHz
46.088 En existencias
1:
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10:
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100:
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250:
$ 6.635
3.000:
$ 4.901
6.000:
Ver
500:
$ 6.032
1.000:
$ 5.177
6.000:
$ 4.715
9.000:
$ 4.604
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RF JFET Transistors
SMD/SMT
SC-70-4
pHEMT
GaAs
- 40 C
+ 85 C
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
1:
$ 846.702
88 En existencias
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
88 En existencias
1:
$ 846.702
10:
$ 793.221
25:
$ 763.816
50:
$ 763.766
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
OM-1230-4L
LDMOS FET
Si
1.8 MHz to 500 MHz
1.5 kW
- 40 C
+ 150 C
23 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
A5G35H120NT2
NXP Semiconductors
Disponibilidad restringida
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N.º de artículo de Mouser
771-A5G35H120NT2
Nuevo producto
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power GaN Transistor, 3300 3800 MHz, 18 W Avg., 48 V
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
DFN-10
GaN Si
3.3 GHz to 3.7 GHz
18 W
- 55 C
+ 150 C
14.1 dB
Reel, Cut Tape
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
QPD2025D
Qorvo
100:
$ 46.947
100 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD2025D
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.25 mm Pwr pHEMT
100 En existencias
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Detalles
RF JFET Transistors
pHEMT
Reel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425
Qorvo
1:
$ 2.714.272
22 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo del Fabricante
QPD1425
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
22 En existencias
1:
$ 2.714.272
25:
$ 1.809.515
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
RF5L08350CB4
STMicroelectronics
1:
$ 729.838
112 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
112 En existencias
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RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
B4E-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
400 W
-
+ 200 C
19 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
RF5L15120CB4
STMicroelectronics
1:
$ 911.191
20 En existencias
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
20 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
SMD/SMT
LBB-5
LDMOS FET
Si
1 GHz
120 W
-
+ 200 C
20 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
QPD1425L
Qorvo
1:
$ 2.714.272
24 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1425L
Nuevo producto
Qorvo
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 1.2-1.4 GHz discrete
24 En existencias
1:
$ 2.714.272
25:
$ 1.809.515
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Flange Mount
NI-400
GaN SiC
2 GHz
56.3 dBm
- 40 C
+ 85 C
20.6 dB
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD1004SR
Qorvo
1:
$ 670.073
589 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1004SR
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) .03-1.2GHz 25W 50V GaN
589 En existencias
1:
$ 670.073
25:
$ 485.955
100:
$ 350.996
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Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
DFN-8
HEMT
GaN SiC
30 MHz to 1.2 GHz
40 W
- 40 C
+ 85 C
20.8 dB
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD1008L
Qorvo
1:
$ 1.824.695
65 En existencias
N.º de artículo de Mouser
772-QPD1008L
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
65 En existencias
1:
$ 1.824.695
25:
$ 1.289.179
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF JFET Transistors
Screw Mount
NI-360
HEMT
GaN SiC
3.2 GHz
162 W
- 40 C
+ 85 C
17.5 dB
Tray
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
TGF2977-SM
Qorvo
1:
$ 210.004
1.026 En existencias
850 Se espera el 8/01/2024
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2977-SM
Qorvo
Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB
1.026 En existencias
850 Se espera el 8/01/2024
1:
$ 210.004
25:
$ 105.002
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF JFET Transistors
SMD/SMT
QFN-16
HEMT
GaN SiC
DC to 12 GHz
6 W
+ 225 C
13 dB
Tray
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
MRF422
MACOM
1:
$ 595.280
623 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
MRF422
N.º de artículo de Mouser
937-MRF422
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
623 En existencias
1:
$ 595.280
10:
$ 551.198
20:
$ 530.992
60:
$ 514.857
100:
Ver
100:
$ 506.865
260:
Presupuesto
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Screw Mount
211-11
Bipolar Power
Si
30 MHz
- 65 C
+ 150 C
Tray