650V N-Channel Super Junction MOSFETs

Panjit 650V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F package. The 650V MOSFETs support an RDS(ON) of 280mΩ, 380mΩ, 600mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.7A, 7.3A, 10.6A, or 13.8A current. The 100% avalanche and Rg tested Panjit 650V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Tipos de Semiconductores discretos
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 19
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (COP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
1.710En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole ITO-220AB-F-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
2.862En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-2
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247AD-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
790En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.970En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
2.930En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000

MOSFETs Si SMD/SMT TO-252AA-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
Panjit Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
Hoja de datos
1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Schottky Diodes
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
103En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
6.000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 6.000

MOSFETs Si TO-252AA-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
1.917En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 130mohm 29A Easy to driver SJ MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 48 Semanas
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000

MOSFETs Si Through Hole