Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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IPL60R185P7AUMA1

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IPP60R080P7XKSA1
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IPP60R080P7XKSA1

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IPP60R099P7XKSA1
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1: $ 17.631
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IPP60R099P7XKSA1

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$ 17.631

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IPP60R180P7XKSA1
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5.752En existencias

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IPP60R180P7XKSA1

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726-IPP60R180P7XKSA1

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IPW60R099P7XKSA1
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IPW60R099P7XKSA1

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726-IPW60R099P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
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IPA60R160P7XKSA1

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726-IPA60R160P7XKSA1

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366En existencias

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IPAN60R180P7SXKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: $ 11.853
2.970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Cinta cortada

$ 11.853

$ 7.677

$ 5.315

$ 4.345

Envase tipo carrete

$ 4.037

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1.000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

145 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

72 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $ 12.232
263En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

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263En existencias

$ 12.232

$ 6.074

$ 5.483

$ 4.387

$ 4.218

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

20 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

81 W

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CoolMOS

Tube

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